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高溫反偏試驗系統

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高溫反偏試驗(High TemperatureReverse Bias),簡稱HTRB,是一種用于評估半導體器件在高溫環境下耐受反向偏壓能力的重要測試方法。這種測試通常用于分立器件,如MOSFET、IGBT、二極管(DIODE)、雙極型晶體管(BJT)、晶閘管(SCR)以及GaN等寬禁帶半導體器件。HTRB測試的目的是模擬器件在實際應用中可能遇到的高溫和高電壓應力,以評估其長期穩定性和可靠性。
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類產品信息

炎熱天氣反偏校正(High TemperatureReverse Bias),簡稱英文HTRB,一種使用在各種測驗光電元件芯片集成電路芯片在炎熱天氣自然環境下耐熱反向的方式給回偏壓力的必要各種測驗措施。各種各種測驗常見使用在分立集成電路芯片,如MOSFET、IGBT、肖特基二極管(DIODE)、雙極型結晶體管(BJT)、雙向晶閘管(SCR)同時GaN等寬禁帶光電元件芯片集成電路芯片。HTRB各種測驗的重要性是模以集成電路芯片在實際上的應用領域中也許遭遇的炎熱天氣和高的電壓剛度,以各種測驗其長期的動態平衡性和準確性。


在HTRB測試軟件英文中,電子功率電子元功率器件會被給予兩個繼續的方向端交流端電壓,有時候這類端交流端電壓會高出電子功率電子元功率器件順利任務時的端交流端電壓關卡。同一,電子功率電子元功率器件的溫暖會被測制在高出其額定任務溫暖的關卡,普通是150°C、175°C或別極高的溫暖。一些氣溫先決條件也可以t加速電子功率電子元功率器件的脫落全過程,使測試軟件英文在相比較較短的周期內來完成,然后很快地評估報告電子功率電子元功率器件的長期性效果。

HTRB檢驗的重要規格比如:

1. 考試端交流電壓:跟據集成電路芯片的業務類型和等級,釋放的選擇性端交流電壓會出現所各種。

2. 測試軟件室內氣溫:持續高溫水平普通設備在元器的額定負載作業室內氣溫之下,以會加快銹蝕流程。

3. 時期:HTRB測評能否連續數個小時、數天有的數日,以確保充足的的時期來評估報告元件的長年不穩定性能分析性。

4. 漏電流網絡監測:在整體的測試儀時期,漏電流會被連著網絡監測,以選擇其能不能立刻間延長而超額能接受的平均水平。

5. 就失效界定:要漏電流已超相應的故障閾值法,一些元件現身其它的突出的性能指標受損,測量將被界定故障。


基準具備性

   本整體實驗的線路及功能性符并提供  MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等標準的做實驗的時候耍求。

系統適于性

軟件系統能滿足了不同整流二極管封裝方式的整流二極管、三級管、場負效應管、可以操控的硅、橋堆和 IGBT 單管/控制器等半導體元器件封裝分立元器件封裝的高熱偏置檢測(HTRB/HTGB)和衰老淘汰。

   該體統整體化情況高,的結構緊奏型,內耐壓試驗清算出入口與清算出入口時間擴大,支持于辦公區樓或辦公場地日趨興奮的研究棚內施用。

實驗室檢測區域內和實驗室檢測管道

體統區分

機床每次電源適配器應力測試區均可應力測試不同的于批次線不同的于放入端電壓的產品;

單區掌控

每個24v電源耐壓經濟區還可以同時操縱無法、中止、以后、已停執行,互不干擾信號;

設計的概念的方法

系統化用到各項相相當于的保持措施設汁,每種校正報告清算通道退化校正報告板相相當于的一頭ARM基帶芯片管理的管理探測板。無數個摸塊的機械故障不會影響某些常見耐壓摸塊的工作中;

存儲量發生變化

單板論文檢測辦公桌數為40流水線工,單流水線工不同微信用戶實際情況運行都要可并接1-3個器材開展多倍存儲量擴存,擴存后,并接流水線工檢側總漏電流;

因為深層次不斷確定比喻socket的大小,單板退化的合理上按裝車間工作臺需要合理上制作加工時候中肯定。

持續高溫實驗箱

溫度因素依據

RT~200℃

環境溫度偏移

≤±1.5℃(滿載)

工作溫度豎直性

≤±2℃(滿載,能夠應力測試環境空間內)

溫度表振幅性

≤±0.5℃

濕度過沖

≤3℃

管控方式英文

串口通信程控+表面板手動操作

室內溫度記錄查詢

計算方法機時實檢查、記錄好校正箱室內高溫,說明全時校正室內高溫線性;

保護區能力

超溫保護的性、提醒聲音裝制和漏電保護的性裝制;超溫提醒聲音時,系統的應使切割沖擊試驗

外接供電及常溫耐壓試驗儀的配電外接供電;

老化測試現場實驗電壓

增加

體系標為每一個電原現場實驗區性能兩臺1200W深淺壓實驗設計主機電源5V~300V交流電源,8塊板/40顆

電原判別率及

讀取表面粗糙度

24v電源線電壓分度值≤20V

簽別率是0.001V;電流導出表示精密度≤0.1%+2LSB

主機電源額定電壓示值≤200V

判別率有0.01V; 壓導出表示的精密度≤0.1%+2LSB

電電壓值量限≤2000V

分別比率為0.1V;  所在顯視要求≤0.1%+2LSB

電壓值檢則

的電壓查重規模

0.0~1000V

電阻值在線檢測判定率

0.1V    

電流值在線檢測高精準度

±(0.5% rdg.+ 1LSB )                                                           

反相電流值檢驗

單向直流電壓查重比率

0.1μA~50mA

逆向工作電流收費起至點

0.5μA

交叉電壓電流簽別率

0.1μA

正向直流電壓檢查測量精準度

±(1% rdg.+0.1)μA



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高溫反偏試驗系統

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高溫反偏試驗(High TemperatureReverse Bias),簡稱HTRB,是一種用于評估半導體器件在高溫環境下耐受反向偏壓能力的重要測試方法。這種測試通常用于分立器件,如MOSFET、IGBT、二極管(DIODE)、雙極型晶體管(BJT)、晶閘管(SCR)以及GaN等寬禁帶半導體器件。HTRB測試的目的是模擬器件在實際應用中可能遇到的高溫和高電壓應力,以評估其長期穩定性和可靠性。
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產品詳情

室溫反偏耐壓(High TemperatureReverse Bias),簡寫HTRB,就是種使代替評價辦法半導體技術行業電子元件在室溫情況下耐受性反方向偏壓工作能力的很重要測式辦法。本身測式一般說來使代替分立電子元件,如MOSFET、IGBT、電子元元器材大家庭中的一員-二極管(DIODE)、雙極型硫化鋅管(BJT)、雙向可控硅(SCR)以其GaN等寬禁帶半導體技術行業電子元件。HTRB測式的原則是虛擬電子元件在實際情況app中可能會中遇的室溫暖高輸出功率能力,以評價辦法其不斷穩定的性和牢靠性。


在HTRB各種檢驗中,元電子元配件封裝會被釋放一維持的倒置輸出功率,而且一個輸出功率會要高與元電子元配件封裝一切正常運轉任務時的輸出功率水準。一同,元電子元配件封裝的體溫會操縱制在要高與其額定功率運轉任務體溫的水準,基本是150°C、175°C或其余更多的體溫。這樣的高溫環境必要條件可能促進元電子元配件封裝的破裂具體步驟,會使各種檢驗在相對的較短的的時間內到位,因而速度更快地評價元電子元配件封裝的持久功能。

HTRB測試圖片的關鍵點技術指標比如:

1. 公測線電流值:選擇電子元件的性質和登級,施加壓力的反向的方式給回線電流值會現所各種。

2. 檢驗溫:高氣溫條件常設計在電子元器件的額定容量的工作溫之內,以下載加速的老化方式。

3. 時:HTRB各種測試可以持繼數用時、數天恐怕數日,以保證可以的時來測評元器件封裝的暫時穩判定高性。

4. 漏電流攝像頭網絡監控:在這個自測當天,漏電流會被反復攝像頭網絡監控,以選定其會不隨時隨地間上升而不符可配受的平均水平。

5. 生效斷定:假如漏電流超過了設定的失效域值,可能配件顯示一些分明的能萎縮,軟件測試將被斷定失效。


要求貼合性

   本軟件系統耐壓試驗新線路及用途符并滿足了  MIL-STD-750D、GJB128A、AEC-Q101 等標準單位校正要。

系統應用性

整體能需要滿足多種封口形態的穩壓管、晶體管、場調節作用管、人工控制硅、橋堆和 IGBT 單管/信息模塊等光電功率器件分立功率器件的氣溫偏置應力測試(HTRB/HTGB)和破裂挑選。

   該軟件內置式化層次高,架構緊湊型suv,內壁實驗操作的的通道與的的通道隔斷曾大,常便用于會議室樓或訓練場這類緊張怎么辦的實驗操作酒店內便用。

耐壓行政區域和耐壓管道

模式系統分割

整套裝置每位24v電源測試區均可測試不相同批不相同顯示線電壓的產品;

單區管理

每種電源適配器經過多次實驗發現區能否同時調控啟動服務器、撤銷、不斷、停掉加載,互不干憂;

的設計習慣

軟件適用1對1相相匹配的的控制方式英文方案,每種檢測渠道腐蝕檢測板相相匹配的一處ARM心片控住的控住在線檢測板。多個摸塊尺寸的常見故障不引響以外的別的合適實驗室檢測摸塊尺寸的本職工作;

存儲容量改變

單板加測辦公工位數為40流水線工,單流水線工據消費者具體情況采用需要可電容串聯1-3個元器來進行多倍數量擴大,擴大后,電容串聯流水線工檢測工具總漏電流;

可能很多不決定義假如socket的長寬,單板銹蝕的事實上按照功位需要符合事實上結構設計加工階段中選擇。

高熱實驗設計箱

攝氏度超范圍

RT~200℃

濕度誤差

≤±1.5℃(變壓器空載)

溫暖不規則性

≤±2℃(輕載,行之有效經過多次實驗發現室內空間內)

環境溫度沖擊性

≤±0.5℃

溫濕度過沖

≤3℃

保持方式

上位機軟件程控+后蓋板手工操作

氣溫紀錄

統計機進行論文檢測、統計測試檢測箱室內水溫,形容全的過程 測試檢測室內水溫弧度;

確保模塊

超溫護理、警報安全提升裝置和漏電護理安全提升裝置;超溫警報時,系統軟件能中斷試驗檢測

開關供電及持續高溫做實驗的時候箱的供氣開關供電;

的老化試驗臺供電

搭配

系統軟件標為每位電原做實驗的時候區顯卡配置單臺1200W的高底壓檢測24v電源5V~300V電原,8塊板/40顆

電判別率及

輸出電壓精準度

外接電源的電壓示值≤20V

辯認比率為0.001V;工作電壓傳輸提示 表面粗糙度≤0.1%+2LSB

電的電壓示值≤200V

簽別比率0.01V; 壓所在現示精密度較≤0.1%+2LSB

電源線工作電壓測量范圍≤2000V

識別比率為0.1V;  傷害表現表面粗糙度≤0.1%+2LSB

端電壓檢則

電流電壓檢測工具空間

0.0~1000V

直流電壓探測辯認率

0.1V    

交流電壓判斷要求

±(0.5% rdg.+ 1LSB )                                                           

逆向直流電壓測試

反向的方式給回電壓檢查測量依據

0.1μA~50mA

正向電流大小壓力容器檢驗起至點

0.5μA

反方向電流大小辯認率

0.1μA

反相電流大小檢驗精確度

±(1% rdg.+0.1)μA



鏈接方式方法

去聯系熱線:18017970031  400-691-8199 

連系qq郵件:qiye@boyitest.com

鏈接注冊地址:杭州市嘉定區曹安公路網561六號中國財富大廈南樓2304室

聯系起來位置:福建省南通市花安路169號中寰中心廣場2130-2135

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