分立元器件封裝高溫倒置偏壓考試控制系統

在科技日新月異的當下，集成電路的市場化進程不斷加速，各種元器件已經滲透到我們生活的各個領域。無論是航空航天、智能汽車等大型領域，還是手機、電腦、手表、電視等日常消費品，都離不開元器件的應用。這些元器件與我們的生活密切相關。

但，元電子元件也可能性提供很多隱患。市面 上間斷性會發生的小米手機炸機事件真相、小車發動機故障、電源線路板自燃等話題，絕大多數與電子元件線質量關與。所以說，建立創始質高、安全性強的電子元件當上各種服務商的第一步日常任務。

中低溫返向偏壓檢驗（High Temperature Reverse Bias，又稱HTRB）是分立功率元件是真的嗎性測試方法中為重要的好項目之四。該檢驗在中低溫標準下，對被測樣本反復釋放一些 型號的返向的電壓，并符合要求其返向漏電流也能增強在規程標準內。利用模擬系統功率元件在太久行駛標準下的受學習能力，能測算功率元件在具體操作中的時間和熱應力長寬比。

在元器燒錄或實用前，明確真實廣泛應用不一樣實行模擬訓練實驗設計，也可以提早熟悉元器的扯力具體情況，所以禁止因扯力或生態環境要素引起的不能正常工作和影響到。中高溫單向偏壓耐壓的實驗室為的就是：泄露與日期和內應力重要性的元電子元件瑕疵，校正元電子元件能不有貼合法合暫行規定準則要，并查驗芯片封裝或晶圓企業能不有會有產品原因。該試驗裝置可蓋住車規、工規及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、JESD 22-A108、JEDEC、JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等關聯標標準。室溫逆向偏壓檢驗適主要代替于多樣半導體技術分立元器件，具有電子元器件大家庭中的一員-二極管、二極管、MOSFET管（減弱型、失去型）、達林頓管、穩定硅和IGBT等，并適主要代替于多樣打包封裝業務類型。